• ПоискГлавная
  • Подписаться на НовостиНовости
  • Подписаться на СтатьиСтатьи
  • Подать объявлениеГазета
  • Доска объявлений
  • Подать объявление на сайт
  • Академгородок
  • О нас
  • Афиша
  • Прайс
  • Юридическая информация
  • Политика конфиденциальности
  • Карта сайта
  • Написать в редакцию
  • Войти
  • 17:48 пятница, 19 апреля
    Академгородок:
    Пробки: 7 баллов
    19.04.2024
    USD: 94.09
    EUR: 100.53
    Мы в соцсетях:
    Подписаться на Статьи
  • Происшествия
  • Человек и общество
  • Государство и власть
  • Наука и образование
  • Культура и спорт
  • Животные
  • Письма
  • Даты
  • Без рубрики
  • 25 января - Татьянин день
  • 26 января – Международный день таможенника
  • 23 февраля – День защитника Отечества
  • 15 марта - День защиты прав потребителей
  • 12 апреля – День космонавтики
  • 9 мая – День Победы!
  • 12 мая – Всемирный день медицинских сестер
  • 31 мая – Всемирный день отказа от курения
  • 1 июня – Международный день защиты детей
  • 8 июня – День социального работника
  • 22 июня – День памяти и скорби
  • 29 июня - День изобретателя и рационализатора
  • 27 июля – День работника торговли
  • 9 августа – День строителя
  • 5 октября - День учителя
  • 23 октября – День работника рекламы
  • 10 ноября – День сотрудника ОВД
  • 22 ноября – День матери
  • 65 лет Великой Победе
  • К 70-летию Великой победы
  • В колонне бессмертного полка
  • Юбиляры победного года
  • Советскому району – 60
  • К 100-летию ВЛКСМ
  • 22 декабря – День энергетика
  • К 120-летию академика М.А. Лаврентьева
  • К Дню автомобилиста
  • К 110-летию генерала-строителя Н.М. Иванова
  • Спецпроект
  • Старые рубрики
  • Здоровье и медицина
  • «ЗНАЙ НАШИХ». НАРОДНЫЙ ПРОЕКТ
  • Графеновая флешка

    Графеновая флешка

    Учёные из Института физики полупроводников СО РАН изучают возможность применения мультиграфена (несколько слоев графена) во флеш-памяти, что значительно повысит быстродействие устройства и время хранения информации.

    По словам старшего научного сотрудника ИФП СО РАН кандидата физматнаук Юрия Новикова, принцип её действия основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде (мультиграфене). Необходимые компоненты такой флеш-памяти – туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости.

    Эффективность флеш-памяти (время хранения заряда, быстродействие) зависит от величины работы выхода запоминающей среды – энергии, которая тратится на удаление электрона из вещества. Мультиграфен, «зажатый» между туннельным и блокирующим оксидами, представляет собой глубокую потенциальную яму, куда заряд скидывается и где потом долго хранится. Это даёт возможность оптимизировать геометрию флеш-памяти, например, использовать более тонкий туннельный слой. Для сравнения: быстродействие флеш-памяти на основе кремниевого кластера в два-три раза ниже.

    Однако наличие пор в диэлектрике грозит утечкой заряда, то есть потерей информации. Это проблема всей флеш-памяти, в которой применяется проводящий материал (кремний, металл, мультиграфен). Решение – использование в качестве запоминающей среды вещества с ловушками, например, нитрида кремния.

    – Пока мы занимаемся только фундаментальными исследованиями. Опытные образцы существуют, и с ними интенсивно работают, но для коммерческого применения, скажем в России, требуется завод с современными технологиями, который будет стоить около пяти миллиардов долларов, – отмечает учёный.

    Тем не менее, даже при использовании таких технологий данные всё равно не смогут храниться вечно: за счёт туннельного эффекта инжектированный заряд со временем уменьшается. Чтобы по истечении десяти лет информацию во флеш-памяти можно было распознать, требуются довольно толстые туннельный и блокирующие слои.

    Как сообщает «Наука в Сибири», сейчас в институте проводятся исследования различных материалов для применения их в резистивной памяти, где данные хранятся за счёт изменения сопротивления материала и в отсутствие питания, а быстродействие, по прогнозам, сравнимо с оперативной памятью. При этом число циклов перезаписи окажется значительно больше, а потребление энергии – меньше, чем во флеш-памяти, основанной на инжекции.

    Другие статьи на тему

    Наука и образование / Горизонты науки
    Ниже вероятность рецидивов
    398 0
    "Навигатор" № 12 (1434) от 29.03.24
    Наука и образование / Горизонты науки
    Как стресс влияет на гены
    916 0
    "Навигатор" № 9 (1431) от 08.03.24
    Наука и образование / Горизонты науки
    В сельском хозяйстве – пригодится
    1138 0
    "Навигатор" № 8 (1430) от 01.03.24
    Наука и образование / Горизонты науки
    Хранилища углекислого газа
    576 0
    "Навигатор" № 7 (1429) от 23.02.24
    Наука и образование / Горизонты науки
    «Понимать» по-русски
    583 0
    "Навигатор" № 7 (1429) от 23.02.24
    Наука и образование / Горизонты науки
    Микродисковый лазер
    581 0
    "Навигатор" № 6 (1428) от 16.02.24

    Популярное