В Институте физики полупроводников рассказали о новейших открытиях
В Институте физики полупроводников рассказали о новейших открытиях
12 мая в ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН состоялся пресс-тур. Помимо представителей СМИ, в нём участвовали министр науки и инновационной политики региона Вадим Васильев, директор института академик РАН Александр Латышев, заместитель директора по развитию Дмитрий Щеглов и другие.
Журналисты побывали в лаборатории физики и технологии гетероструктур. Научный сотрудник, к.ф.-м.н. Владимир Голяшов рассказал о работе над проектом «Создание новых квантовых материалов и наносистем для твердотельной и вакуумной спинтроники и оптоэлектроники». Он выполняется по совместному гранту Российского научного фонда и правительства Новосибирской области. Разработан уникальный прибор – вакуумный спин-поляризованный светодиод. Владимир Андреевич подчеркнул, что он имеет большое значение для фундаментальной науки, в том числе для использования на коллайдерах – ускорителях заряженных частиц. Кроме того, это первый шаг к созданию электроники нового поколения – полупроводниковых вакуумных спинтронных устройств.
Рассказал ученый и о деятельности лаборатории в области синтеза и исследования новых материалов, а именно о выращивании тонких плёнок топологических изоляторов. Исследование их свойств – одна из самых горячих тем современной науки: топологические изоляторы способны проводить спин-поляризованный ток по всей своей поверхности и при этом практически не проводить его внутри, оставаясь изолятором.
Также представители СМИ познакомились с работой двух молодёжных лабораторий, созданных в интересах промышленности в 2022 году. Одна из них занимается разработкой технологии синтеза кристаллических плёнок на основе нитрида галлия алюминия на кремниевых подложках. Такой материал, по словам заведующего лабораторией к.ф.-м.н. Дениса Милахина, может использоваться при создании систем беспроводной зарядки носимой электроники и медицинских приборов, при производстве GaN-транзисторов в силовой части высоковольтных схем преобразования мощности с последующей перспективой разработки высоковольтных блоков питания постоянного тока с низкими потерями. Есть и другие не менее важные и высокотехнологичные области применения.
Денис Милахин пояснил, что создание полупроводникового материала для силовых транзисторов на кремниевых подложках – технологическая задача высокой сложности, и в России она до сих пор не решена.
В молодёжной лаборатории физико-технологических основ создания фотоприёмных устройств на основе полупроводников А3В5 разработали и апробировали технологии роста полупроводникового материала и создания сверхвысокочастотных фотодиодов, а теперь готовятся запустить первые пробные технологические маршруты изготовления лавинных фотодиодов с низким уровнем шума. Об этом рассазал к.ф.-м.н. Максим Аксёнов. Такие фотодиоды найдут применение в построении волоконно-оптических систем передачи сигналов большой дальности, а также систем передачи данных через открытое пространство.
Познакомили журналистов и с другими разработками. Вадим Васильев отметил, что в молодёжных лабораториях созданы благоприятные условия для исследований. Современнейшее оборудование, приобретённое за счёт средств федерального бюджета, позволяет молодым учёным плодотворно работать и реализовать потенциал в своей стране.
Елена Панфило, фото автора
Другие новости на тему
Комментарии