Академик Александр Латышев стал лауреатом Демидовской премии

10 декабря в Москве объявили лауреатов самой престижной негосударственной научной награды России – Демидовской премии. В номинации «физика» лауреатом стал академик РАН директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН Александр Васильевич Латышев.

Академик Латышев отмечен за выдающийся вклад в физику полупроводников. Учёный специализируется в области физики и технологии элементной базы наноэлектроники и нанофотоники, синтеза низкоразмерных систем, структурной диагностики атомного разрешения. Исследования Александра Васильевича касаются механизмов атомных процессов на поверхности и границах раздела при формировании полупроводниковых систем пониженной размерности для нового поколения элементной базы фото- и наноэлектроники. Результаты его работ создают основу современных полупроводниковых технологий.

Самая цитируемая научная работа Александра Латышева «Transformations on clean Si(111) stepped surface during sublimation / Трансформации на чистой ступенчатой поверхности кремния Si (111) во время сублимации» опубликована в журнале Surface Science в 1989 году и посвящена открытию эффекта эшелонирования атомных ступеней на поверхности кремния под действием постоянного электрического тока. В наномасштабе поверхность любого кристалла (и кремния в том числе) не идеально ровная, она состоит из атомно-гладких участков, разделенных ступенями толщиной как минимум в один атом. Именно свойства поверхности определяют область применения полупроводникового кристалла, а значит и электронных устройств. Поэтому понимание процессов, происходящих на поверхности кристалла, управление ее свойствами позволяет решать и прикладные задачи.

Действуя на кристалл кремния постоянным током, можно «разогнать» (рассредоточить) ступени и увеличить площадь гладкой поверхности или собрать нужное количество ступеней в более плотную «лестницу» – эшелон ступеней. В результате открытия эффекта эшелонирования атомных ступеней научной группе Александра Латышева удалось создать атомно-гладкие зеркала и комплекс мер высоты, где диапазон измерений может быть менее одного нанометра.

Для проведения таких исследований потребовалось разработать особое научное оборудование – модернизировать просвечивающий отражательный электронный микроскоп. В пространство между линзами электронного микроскопа размещалась небольшая вакуумная камера, размером со спичечный коробок. В камере находился образец, который можно было нагревать, пропуская электрический ток, проводить напыление вещества на поверхность образца. При этом в камере поддерживался сверхвысокий вакуум, были предусмотрены вводы и выводы для электронного пучка. Сегодня подобное оборудование и методика исследования поверхности кристалла методом сверхвысоковакуумной электронной отражательной микроскопии развивается только в ИФП СО РАН, ранее работы в этой области проводились в Японии и во Франции.

Александр Латышев – выпускник Новосибирского государственного университета. После вуза он пришел как стажер-исследователь в Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова. Он стал заниматься научной задачей, связанной с актуальной проблемой физики твердого тела – исследованием процессов на поверхности и в поверхностных слоях, на пограничных слоях, так называемых интерфейсах, между разными элементами гетероструктур.

– Сначала были небольшие результаты, но постепенно будущий лауреат стал создателем целого метода высокоразрешающей [сверхвысоковакуумной отражательной] электронной микроскопии, которая позволила рассмотреть очень тонкие процессы на поверхности полупроводниковых пленок и гетероструктур. Метод и сейчас используется в России и за рубежом, – отметил, представляя лауреата, заместитель академика-секретаря отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, президент Российского технологического университета МИРЭА академик Александр Сигов. – Почему это удалось? Во-первых, конечно, благодаря собственному таланту, во-вторых, учителям: Александр Васильевич попал в группу к замечательному ученому, основоположнику метода молекулярно-лучевой эпитаксии в Институте физики полупроводников доктору наук, профессору Сергею Ивановичу Стенину, научным руководителем Александра Васильевича стал Александр Леонидович Асеев, сейчас – академик РАН, известный ученый.

Александр Латышев – автор и соавтор более 380 научных статей, значительная их часть опубликована в ведущих мировых журналах, в том числе Nature, Physical Review Letters, Physical Review B и других. Сейчас Александр Васильевич – директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова, где он находит возможности приложить свои силы, опыт и талант.

Демидовская премия – одна из самых престижных неправительственных научных наград России. Её основу заложил в XIX веке представитель знаменитой семьи уральских промышленников и меценатов Павел Николаевич Демидов. В 1832 году, «желая содействовать преуспеянию наук, словесности и промышленности в своем Отечестве», он учредил премию для ученых. По завещанию Демидова премия выплачивалась еще четверть века, до 1865 года, а затем традиция надолго прервалась. В 1992 году в Екатеринбурге по инициативе академика Г.А. Месяца, тогдашнего председателя Уральского отделения Российской академии наук, при поддержке уральских властей, промышленников и предпринимателей премию возобновили. Среди более сотни лауреатов есть и ученые Сибирского отделения РАН: А.Н. Скринский, Н.Л. Добрецов, А.П. Деревянко, А.Э. Конторович, М.И. Кузьмин, Б.М. Ковальчук и другие.

Особый статус награде придают правила, по которым она присуждается: учёные награждаются не за отдельный научный труд, а по совокупности работ. Будущие лауреаты определяются путём опроса специалистов той или иной области а не на конкурсной основе. Окончательное решение выносят пять комиссий и комитет по премиям, в который входят крупнейшие специалисты страны.

Вручение Демидовской премии приурочено к Дню российской науки, который отмечается 8 февраля. Церемония вручения проходит в резиденции губернатора Свердловской области.

По информации пресс-службы ИФП 

Фото пресс-службы РАН с церемонии объявления премии