Выпускники СУНЦ НГУ побывали в лабораториях крупного института
Выпускники СУНЦ НГУ побывали в лабораториях крупного института
Ребята из учебно-научного центра посетили Институт физики полупроводников и узнали, как можно вырастить кристаллическую пленку для транзисторов с высокой подвижностью электронов, как рисовать с помощью электронного микроскопа, а также увидели в наноструктуре отдельные атомы.
Встретил участников экскурсии заместитель директора ИФП СО РАН Александр Каламейцев. Он отметил:
– Как вы знаете, многие современные технологические успехи стали возможны благодаря развитию микроэлектроники. Исследованием физических свойств, явлений в материалах для полупроводниковой электроники мы и занимаемся.
Сначала ребята побывали в лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии соединений. Здесь им показали сверхвысоковакуумное оборудование, позволяющее синтезировать полупроводниковые материалы с новыми свойствами. Основные работы ведутся на установке молекулярно-лучевой эпитаксии.
– Наша лаборатория занимается получением полупроводниковых структур A3B5 – это такие соединения, как арсенид галлия и нитрид галлия. Мы создаем структуры для транзисторов с высокой подвижностью электронов, эти транзисторы используются в сверхвысокочастотных усилителях, а СВЧ-усилители нужны для создания приёмопередающих модулей,– рассказал ведущий инженер лаборатории № 37 Тимур Малин.
Следующая лаборатория, в которую попали школьники, занимается разработкой и созданием тепловизионной техники. Дмитрий Горшков, младший научный сотрудник лаборатории, рассказал об устройстве тепловизоров, о разных сферах применения тепловизионной техники: для изучения дальнего космоса, мониторинга лесных пожаров, выявления граждан с повышенной температурой в местах большого скопления людей.
В лаборатории нанодиагностики и нанолитографии ученики СУНЦ НГУ узнали о современных способах изучения и модификации поверхности. В завершение экскурсии ребята попробовали сломать кремниевые пластины и выяснили, что они ломаются лишь по определенным кристаллографическим направлениям, где химические связи наиболее слабые.
По информации пресс-службы ИФП СО РАН
Комментарии