ИФП – полвека

С момента основания и до сегодняшних дней Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН – пример многопрофильного научного центра, отличительная особенность которого – постоянный рост научно-производственного потенциала и эффективность полученных результатов.

Несмотря на политические, экономические и социальные явления в стране и мире, ИФП всегда старался получать научные результаты мирового уровня. Во многом эта стабильность определяется тематикой исследований в одном из самых актуальных направлений мировой науки. Но не менее важна и заслуга ученых – организаторов научной работы, заложивших принципы развития научных школ, подготовки молодых кадров для науки и производства.

О новых научных разработках ИФП, исторических вехах его развития, известных ученых, которые внесли свой вклад в становление института, шла речь на торжественном собрании, посвященном 50-летию ИФП, в Доме ученых 18 сентября.

У истоков

Знаковым в жизни института стал 1964 год, когда руководство советского государства подняло вопрос об усилении полупроводниковой и радиопромышленности. Летом 1964-го был учрежден Институт физики полупроводников.

Образовался он в результате объединения Института физики твердого тела и Института радиофизики и электроники. Его директором был назначен А.В. Ржанов, возглавлявший его 26 лет. С его именем связаны первые исследования поверхности полупроводников (ее свойства играют ключевую роль в физике полупроводников).

У истоков института стояли люди, прошедшие суровую школу жизни в период становления советского государства и во время Великой Отечественной войны.

Академик Ржанов – крупнейший ученый в области полупроводниковой микроэлектроники и физики поверхности полупроводников, директор Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР – участник боев, награжден орденами и медалями. Получив тяжелое ранение, Анатолий Васильевич нашел в себе силы продолжить образование и после демобилизации в 1948 году блестяще окончил аспирантуру Физического института им. Лебедева. С 1958-го он руководил Институтом физики твердого тела.

Доктор физико-математических наук профессор Юрий Румер, советский физик-теоретик, общавшийся с Н. Бором и А. Эйнштейном, в 1957 году был назначен директором Института радиофизики и электроники ЗСФ АН, который стал первым физическим институтом в Новосибирске.

Мировое признание

В тяжелые годы развала советской науки – с 1990 по 1998 год институт возглавлял член-корр. РАН Константин Свиташев. Он не только сумел сохранить ИФП, достигнутые в то время результаты получили мировое признание. С именем ученого связано развитие в институте новой фотоприемной тематики, которая на долгие годы стала визитной карточкой ИФП.

С 1998 по 2013 год институтом руководил академик РАН Александр Асеев. Под его руководством в ИФП был создан научно-технологический комплекс для получения и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур, значительно расширена научно-производственная база. Благодаря усилиям Асеева институт стал одним из ведущих научных учреждений в России. Именно в эти годы произошло его становление как одной из ведущих в России организации в области фотоприемной тематики на основе соединений кадмий-ртуть-теллур.

Сейчас институт возглавляет член-корр. РАН д.ф.-м.н. Александр Латышев, успешно продолжающий дело своих предшественников. Коллектив ученых ИФП работает над актуальными направлениями физики конденсированных сред, в том числе физики полупроводников и диэлектриков, физики низкоразмерных систем, над развитием элементной базы микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров (в т.ч. физико-химической основы технологий микроэлектроники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики). Ведутся работы по актуальным проблемам оптики, лазерной физики, включая квантовую электронику.

Курс на развитие

Многие достижения ученых – особая гордость института, они отмечены правительственными наградами. Среди них такое направление, как молекулярно-лучевая эпитаксия – один из базовых процессов технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Эта технология позволяет наращивать один кристаллический материал на другой слой за слоем, контролируя процесс роста на атомарном уровне. Таким образом можно получать новые, не встречающиеся в природе, материалы и использовать их в производстве деталей и интегральных микросхем для нужд промышленности, армии, космоса, энергетики.

Перспективная разработка – лазерный отжиг. Впервые открыли и исследовали это явление ученые ИФП СО РАН. Краткосрочные импульсы лазерного излучения позволяют изменять свойства полупроводниковых покрытий компонентов электронных приборов. Так, лазерный отжиг фирма Samsung применяет при изготовлении экранов телевизоров и мониторов.

На основе различных технологий и материалов в институте создана широкая линейка тепловизионных приборов на различных длинах волн. Получил широкую известность медицинский тепловизор «Свифт», в 2011 году он прошел сертификацию по международным стандартам при посредничестве словацкой компании «Онкосет».

Есть ряд успешных достижений в области нанотехнологий. Среди них – оригинальная патентованная технология нанометровых слоев кремний-на-изоляторе. На ее основе изготовлены чипы с матрицами нанопроволочных транзисторов, чувствительных к единичным экземплярам патогенных органических соединений. Другая перспективная разработка – полупроводниковый однофотонный излучатель, выдающий порции света отдельными квантами. Прорывной результат – разработка и создание комплекта высокоточных мер вертикальных размеров в диапазоне размеров 0,31–31 нм – это одна атомная ступенька.

Сегодня институт – крупный научный центр, в который входит пять отделов, 24 лаборатории и группы, филиал «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники». В ИФП работает около тысячи человек, в том числе 220 научных сотрудников, два академика, четыре члена-корреспондента РАН, около 40 докторов и 140 кандидатов наук.

Евгений МАРКОВ